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半导体制造方法
编号:S000018209 刷新日期: 有效日期至:2020-10-15 浏览:1703 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种存储器位单元包括:锁存器,与锁存器相连接的写端口,以及与锁存器相连接的读端口。写端口包括:具有第一阈值电压的第一组器件和具有第二阈值电压的第二组器件,第二阈值电压大于第一阈值电压。读端口包括:具有第三阈值电压的第三组器件,第三阈值电压小于第一阈值电压。本发明还提供了一种半导体制造方法。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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