本发明涉及一种非外延生长半导体的方法，属于纳米材料的制备领域。该方法为低温液相法：在衬底上滴加银溶胶，银溶胶中溶剂挥发后得银薄膜；衬底银薄膜面朝上加入乙醇和1-硫代癸烷丙酮溶液，静置，加入硫族元素前驱体溶液，混合后30～80℃反应4～12h，用无水乙醇洗，自然晾干，得非晶薄膜；非晶薄膜面朝上，加入甲苯、油酸和油胺，静置，加入镉盐的甲醇溶液和膦配体，50～80℃反应2～6h，用无水乙醇洗，自然晾干，得非外延生长的半导体。该方法成本低，易规模化生产；不受晶格失配度、沉积临界厚度和衬底限制，可大晶格失配度下在不同衬底上原位生长一维微/纳结构或二维薄膜结构的单晶半导体，应用领域广泛。